碳化硅加工需要的设备

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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国

2023年5月21日碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺 2024年12月5日碳化硅（SiC）材料的离子注入工艺面临多重技术挑战，主要体现在高温、高能量注入的要求、精确的掺杂控制以及设备的稳定性与可靠性。与硅基晶圆相比，SiC的离子注入碳化硅半导体专用设备全面分析 - 新闻通知中关村天 ...

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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎

2024年2月18日就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。整个流程 2020年10月21日以碳化硅mosfet工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备. 主要包括: 碳化硅粉料合成设备. 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备 ...

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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片 ...

2024年10月22日 1）碳化硅切割设备：国内首个高线速碳化硅金刚线切片机gcscdw6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量，切割效率大大提高，生产成本明显降低，在行业里独家实现批量经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏

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